Le dernier capteur de pixels HV-CMOS développé par l'ancien groupe CERN-RD50-CMOS,
known as the \mpw, démontre une tolérance aux radiations compétitive, spatial
granularité, et résolution temporelle — exigences clés pour les futures hautes énergies
expériences de physique telles que le HL-LHC et le FCC. Fabricated using a \SI{150}{nm}
CMOS process by \emph{LFoundry}, il introduit plusieurs améliorations par rapport à son
prédécesseur, the \emph{RD50-MPW3}, y compris des domaines de puissance séparés pour
bruit réduit, un nouveau schéma de polarisation arrière, et un anneau de garde amélioré
structure, enabling operation at bias voltages up to \SI{800}{V}.
Les tests avec des échantillons non irradiés ont atteint une efficacité de détection des impacts
exceeding \SI{99.9}{\%} and a spatial resolution around \SI{16}{\maman}.
Les capteurs irradiés par des neutrons ont été caractérisés à l'aide de mesures IV et
campagnes de tests par faisceaux, confirmant la robustesse du capteur sous fort rayonnement
environnements. Les résultats mettent en évidence la capacité de la technologie HV-CMOS à
restaurer l'efficacité de la détection des coups après l'irradiation en augmentant la quantité appliquée
tension de polarisation. Les détails de ces mesures et des performances de synchronisation sont
présenté dans cet article.

Cet article explore les excursions dans le temps et leurs implications.

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