Recentemente, i semimetalli topologici sono emersi come forti candidati per il solido
frigoriferi termomagnetici statali grazie al loro effetto Nernst potenziato. Questo
il miglioramento nasce dai contributi combinati della curvatura di Berry
coefficiente di Nernst anomalo indotto associato a bande topologiche e al
normale effetto Nernst derivante dalla compensazione sinergica elettrone-lacuna.
Generalmente, questi due effetti sono intrecciati nei semimetalli topologici, fabbricazione
è difficile valutarli in modo indipendente. Qui, riportiamo l'osservazione
di elevato effetto Nernst nel semimetallo ScSb compensato con lacuna elettronica
strutture di bande elettroniche topologicamente banali. Notevolmente, troviamo un massimo
maximum Nernst power factor of $PF_N \sim 35 \volte 10^{-4}$ Wm$^{-1}$
K$^{-2}$ in ScSb. La termopotenza di Nernst ($S_{xy}$) exhibits a peak of $\sim$
47 $\mu$V/K a 12 K e 14 T, ottenendo una figura di merito Nernst ($z_N$) Di
$\sim 28 \volte 10^{-4}$ K$^{-1}$. In particolare, nonostante la sua banale banda elettronica
struttura, entrambi i valori $PF_N$ e $z_N$ di ScSb sono paragonabili a quelli
osservato in semimetalli topologici con dispersioni di bande di Dirac. L'origine di
il grande segnale di Nernst in ScSb è spiegato da elettroni e ben compensati
portatori di fori, attraverso misure di resistività di Hall, risolto in angolo
spettroscopia di fotoemissione (ARPA) e teoria del funzionale della densità (DFT)
calcoli.

Questo articolo esplora i giri e le loro implicazioni.

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