Les hétérostructures à puits quantiques AlGaN/GaN présentent généralement un effet positif
photoconductivité (PPC) pendant l'éclairage. Étonnamment, nous avons trouvé
que l'introduction du super-réseau GaN/AlN (Sl) barrière arrière en N-polaire
Les hétérostructures à puits quantiques AlGaN/GaN induit une transition dans ces
hétérostructures du PPC à la photoconductivité négative (PNJ) comme la période SL
nombre augmenté à température ambiante. Cette transition s'est produite sous un
éclairage par lumière infrarouge et peut être bien expliqué en termes de
excitation des électrons chauds du gaz d'électrons bidimensionnel et
les piéger ensuite dans une structure SL. L'effet NPC observé en N-polaire
Les hétérostructures AlGaN/GaN avec barrière arrière SL présentent une photoconductivité
rendement dépassant 85 % et c'est donc le plus grand signalé jusqu'à présent pour
semi-conducteurs. En outre, Le signal PNJ reste relativement stable à niveau élevé
températures jusqu'à 400 K. Les résultats obtenus peuvent être intéressants pour le
développement de dispositifs liés aux PNJ tels que des portes logiques photoélectriques,
mémoire photoélectronique et photodétecteurs infrarouges.

Cet article explore les excursions dans le temps et leurs implications.

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