Couches bidimensionnelles (2D) matériels, avec leur épaisseur à l'échelle atomique et
électronique accordable, optique, et propriétés mécaniques, ouvrir de nombreux prometteurs
des voies pour faire progresser de manière significative l’électronique moderne. L'effet de champ provoqué
par un fort champ électrique, généralement du niveau MV/cm, appliqué perpendiculairement à
les couches de matériaux, est une méthode très efficace pour contrôler ces
propriétés. L'effet de champ permet de réguler le flux d'électrons dans
canaux de transistors, améliore l'efficacité du photodétecteur et la plage spectrale,
et facilite l'exploration de nouveaux phénomènes quantiques exotiques en 2D
matériels. Cependant, approches existantes pour induire l'effet de champ en 2D
les matériaux utilisent des méthodes de déclenchement électrique basées sur des circuits fondamentalement limitées
aux taux de réponse des micro-ondes. Ultrarapide compatible avec les appareils, sous-picoseconde
le contrôle nécessaire à la technologie moderne et aux applications scientifiques fondamentales est encore
reste un défi. Dans cette étude, nous démontrons un champ si ultrarapide
effet dans le MoS2 atomiquement mince, un semi-conducteur 2D archétypal, intégré dans un
structure de nanoantenne hybride 3D-2D térahertz. Cette nanoantenne efficace
convertit un champ électrique incident térahertz en champ électrique ultrarapide vertical
champ de déclenchement dans MoS2 tout en l'améliorant simultanément au MV/cm requis
niveau. Nous observons l'effet de champ térahertz optiquement comme cohérent
Décalage Stark induit par le térahertz des résonances caractéristiques des excitons dans MoS2. Notre
les résultats permettent de nouveaux développements dans la technologie et la science fondamentale de
2Matériaux D, où l'effet de champ térahertz est crucial.

Cet article explore les excursions dans le temps et leurs implications.

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