Le eterostrutture dei pozzi quantici AlGaN/GaN mostrano tipicamente un risultato positivo
fotoconduttività (PPC) durante l'illuminazione della luce. Sorprendentemente, abbiamo trovato
quello che introduce il superreticolo GaN/AlN (SL) barriera posteriore in N-polare
Le eterostrutture dei pozzi quantici AlGaN/GaN inducono una transizione in queste
eterostrutture dal PPC alla fotoconduttività negativa (PNG) come periodo SL
numero aumentato a temperatura ambiente. Questa transizione è avvenuta sotto un
illuminazione a luce infrarossa e può essere ben spiegata in termini di
eccitazione degli elettroni caldi dal gas elettronico bidimensionale e
successivamente intrappolandoli in una struttura SL. L'effetto NPC osservato in N-polare
Le eterostrutture AlGaN/GaN con barriera posteriore SL mostrano fotoconduttività
rendimento eccedente 85 % e quindi sono i più grandi segnalati finora
semiconduttori. Inoltre, Il segnale NPC rimane relativamente stabile ad alto
temperature fino a 400 K. I risultati ottenuti possono essere interessanti per il
sviluppo di dispositivi NPC come porte logiche fotoelettriche,
memorie fotoelettroniche e fotorivelatori a infrarossi.

Questo articolo esplora i giri e le loro implicazioni.

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