Bidimensionale a strati (2D) materiali, con il loro spessore su scala atomica e
elettronica sintonizzabile, ottico, e proprietà meccaniche, aprire molti promettenti
percorsi per far avanzare significativamente l’elettronica moderna. L'effetto campo causato
da un forte campo elettrico, tipicamente del livello MV/cm, applicato perpendicolarmente a
gli strati materiali, è un metodo altamente efficace per controllarli
proprietà. L'effetto di campo consente la regolazione del flusso di elettroni all'interno
canali a transistor, migliora l'efficienza del fotorivelatore e la gamma spettrale,
e facilita l'esplorazione di nuovi fenomeni quantistici esotici in 2D
materiali. Tuttavia, approcci esistenti per indurre l'effetto di campo in 2D
i materiali utilizzano metodi di controllo elettrico basati su circuiti fondamentalmente limitati
ai tassi di risposta delle microonde. Ultraveloce compatibile con il dispositivo, sub-picosecondo
controllo ancora necessario per la tecnologia moderna e le applicazioni scientifiche di base
rimane una sfida. In questo studio, dimostriamo un campo così ultraveloce
effetto nel MoS2 atomicamente sottile, un semiconduttore 2D archetipico, incorporato in a
struttura ibrida di nanoantenna 3D-2D terahertz. Questa nanoantenna in modo efficiente
converte un campo elettrico incidente terahertz in un campo elettrico ultraveloce verticale
campo di gate in MoS2 migliorandolo contemporaneamente al MV/cm richiesto
livello. Osserviamo otticamente l'effetto del campo terahertz come coerente
Stark shift indotto da terahertz delle caratteristiche risonanze eccitoniche nel MoS2. Nostro
I risultati consentono nuovi sviluppi nella tecnologia e nella scienza fondamentale
2materiali D, dove l'effetto del campo terahertz è cruciale.
Questo articolo esplora i giri e le loro implicazioni.
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