Kürzlich, Topologische Halbmetalle haben sich als starke Kandidaten für Feststoffe herausgestellt
Zustand thermomagnetischer Kühlschränke aufgrund ihres verstärkten Nernst-Effekts. Das
Die Verstärkung ergibt sich aus den kombinierten Beiträgen der Beerenkrümmung
induzierter anomaler Nernst-Koeffizient im Zusammenhang mit topologischen Bändern und dem
normaler Nernst-Effekt, der aus der synergistischen Elektron-Loch-Kompensation resultiert.
Allgemein, Diese beiden Effekte sind in topologischen Halbmetallen miteinander verflochten, Herstellung
Es ist schwierig, sie unabhängig zu bewerten. Hier, Wir berichten über die Beobachtung
mit hohem Nernst-Effekt im elektronenlochkompensierten Halbmetall ScSb mit
topologisch triviale elektronische Bandstrukturen. Bemerkenswert, Wir finden ein Hoch
maximum Nernst power factor of $PF_N \sim 35 \mal 10^{-4}$ W m$^{-1}$
K$^{-2}$ in ScSb. Die Nernst-Thermokraft ($S_{xy}$) exhibits a peak of $\sim$
47 $\mu$V/K bei 12 K und 14 T, was einen Nernst-Wert ergibt ($z_N$) von
$\sim 28 \mal 10^{-4}$ K$^{-1}$. Vor allem, trotz seiner trivialen elektronischen Band
Struktur, Sowohl die $PF_N$- als auch die $z_N$-Werte von ScSb sind mit diesen vergleichbar
beobachtet in topologischen Halbmetallen mit Dirac-Banddispersionen. Der Ursprung von
Das große Nernst-Signal in ScSb wird durch gut kompensierte Elektronen und erklärt
Lochträger, durch Hall-Widerstandsmessungen, winkelaufgelöst
Photoemissionsspektroskopie (HARPS) und Dichtefunktionaltheorie (DFT)
Berechnungen.

Dieser Artikel untersucht Zeitreisen und deren Auswirkungen.

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